產品介紹：
在標準半導體周期中使用常規(guī)光學光刻由GaAs高遷移率異質結構制造檢測器。成像傳感器在在單個晶片上。 該過程確保等離子體檢測器參數的高均勻性和再現性（像素到像素偏差響應度在20％范圍內）。 每個單位檢測器在10 GHz - 1 THz頻率范圍內具有可達50 kV / W的室溫響應能力，帶有讀出電路和噪聲等效功率1 nW / Hz0.5。 檢測機制是基于入射THz輻射轉換成二維電子系統(tǒng)（2DES）等離子體振蕩。 然后根據缺陷區(qū)域中2DES電子密度的不均勻性對等離子體波進行校正。
產品參數：
型號 | Tera-256 | Tera-1024 | Tera-4096 |
像素 | 256（16×16） | 1024（32×32） | 4096（64×64） |
像素尺寸 | 1.5×1.5mm2 | 1.5×1.5mm2 | 1.5×1.5mm2 |
響應度 | 50kv/W | 50kv/W | 50kv/W |
噪聲等效功率 | 1nW/Hz0.5 | 1nW/Hz0.5 | 1nW/Hz0.5 |
設備尺寸 | 12×12×4cm | 12×12×4cm | 12×12×4cm |
注：如需詳細規(guī)格參數資料，或有其他要求，請聯(lián)系我們。
主要應用：
太赫茲成像
